傳感器與微系統(tǒng)平臺(tái)
平臺(tái)主任：王軍波
平臺(tái)概況 儀器介紹 平臺(tái)成員 服務(wù)項(xiàng)目 用戶須知 收費(fèi)須知 歡迎來(lái)訪
平臺(tái)概況平臺(tái)建有1300平方米超凈間，擁有一條完整的微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）加工工藝線，具有先進(jìn)的MEMS加工、封裝和測(cè)試設(shè)備，形成了整套的加工工藝規(guī)范，具備各種硅基和非硅基的微結(jié)構(gòu)器件的加工和測(cè)試能力。關(guān)鍵MEMS 加工和測(cè)試設(shè)備包括：清洗腐蝕臺(tái)、雙面光刻機(jī)、硅深刻蝕機(jī)、RIE、電子束蒸發(fā)臺(tái)、離子束刻蝕機(jī)、磁控濺射鍍膜設(shè)備、ICP-CVD、LPCVD、多腔室金屬薄膜沉積設(shè)備、氮化鋁濺射設(shè)備、paralyne濺射設(shè)備、陽(yáng)極鍵合機(jī)、引線鍵合機(jī)、激光劃片機(jī)、快速退火爐、臺(tái)階儀、探針臺(tái)、薄膜應(yīng)力分析儀、橢偏儀、SEM、LSM、AFM、紅外顯微鏡、輪廓儀、顯微振動(dòng)分析系統(tǒng)、無(wú)液氦綜合測(cè)試系統(tǒng)、激光焊接機(jī)等，可對(duì)外提供微納加工、測(cè)試和封裝服務(wù)。
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金屬薄膜快速沉積系統(tǒng) 美國(guó)丹頓金屬薄膜快速沉積系統(tǒng)，型號(hào)Discovery-635，可進(jìn)行金屬材料（Au、Pt、Cr、Ti）等材料的薄膜制備。 |
電子束蒸發(fā)系統(tǒng) 日本Ferrotec電子束蒸發(fā)系統(tǒng)，型號(hào)BJD-2000，可進(jìn)行金屬材料（Au、Pt、Cr、Ti）等材料的薄膜制備。 |
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2014年11月驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
2021年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
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薄膜沉積系統(tǒng) 美國(guó)LESKER薄膜沉積系統(tǒng)，型號(hào)AXXIS，可進(jìn)行氧化鋅薄膜制備。 |
電子束蒸發(fā)系統(tǒng) 沈科儀電子束蒸發(fā)系統(tǒng)，型號(hào)EB-700，可進(jìn)行金屬材料（Al）等材料的薄膜制備。 |
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2006年3月驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
正在驗(yàn)收 |
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氮化鋁物理氣相沉積設(shè)備 美國(guó)AMS氮化鋁濺射設(shè)備，型號(hào)AM220，可進(jìn)行氮化鋁薄膜制備。 |
介質(zhì)薄膜氣相沉積設(shè)備 德國(guó)SENTECH的介質(zhì)薄膜氣相沉積設(shè)備，型號(hào)SI-500D，可進(jìn)行低溫氧化硅、氮化硅薄膜制備。 |
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正在驗(yàn)收 |
2020年驗(yàn)收并投入使用 |
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低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 日本thermco低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，型號(hào)X60，可進(jìn)行氧化硅、氮化硅薄膜沉積。 |
多功能磁控濺射設(shè)備 日本ULVAC公司多功能磁控濺射設(shè)備，型號(hào)QAM-4W，可進(jìn)行金屬濺射。 |
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2021年驗(yàn)收并投入使用 |
2021年驗(yàn)收并投入使用 |
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硅深刻蝕系統(tǒng) 法國(guó)Alcatel深硅刻蝕系統(tǒng)，型號(hào)AMS-100，可進(jìn)行硅襯底的高深寬比刻蝕。 |
硅深刻蝕系統(tǒng) 英國(guó)SPTS深硅刻蝕系統(tǒng)，型號(hào)Omega Lpx Rapier，可進(jìn)行硅襯底的高深寬比刻蝕。 |
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2006年3月驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
2021年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
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介質(zhì)薄膜刻蝕系統(tǒng) 北方華創(chuàng)介質(zhì)薄膜刻蝕系統(tǒng)，型號(hào)GSE C200，可進(jìn)行氧化硅、氮化硅介質(zhì)薄膜刻蝕。 |
硅深刻蝕系統(tǒng) 北方華創(chuàng)深硅刻蝕系統(tǒng)，型號(hào)HSE M200，可進(jìn)行硅襯底的高深寬比刻蝕。 |
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2021年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
2021年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
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離子束刻蝕機(jī) 北方埃德萬(wàn)斯離子束刻蝕機(jī)，型號(hào)IBE-150，可進(jìn)行金屬薄膜刻蝕。 |
紫外激光精細(xì)加工設(shè)備 蘇州德龍紫外激光精細(xì)加工設(shè)備，型號(hào)FP-D-DZS-001，可進(jìn)行激光切割和激光圖形化。 |
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2017年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
2013年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
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激光焊接機(jī) 大族激光激光焊接機(jī)，可進(jìn)行管殼焊接。 |
磁場(chǎng)退火爐 北京東方晨景磁場(chǎng)退火爐，可進(jìn)行磁場(chǎng)環(huán)境下退火工藝。 |
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2022年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
2020年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
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劃片機(jī) 法國(guó)DISCO劃片機(jī)，型號(hào)DAD3221可進(jìn)行芯片切割。 |
真空退火爐 法國(guó)ANNEALSYS真空退火爐，可進(jìn)行真空退火工藝。 |
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2012年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
2020年驗(yàn)收，同時(shí)投入使用 |
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無(wú)液氦綜合測(cè)試系統(tǒng) 美國(guó)Quantum Design公司無(wú)液氦綜合測(cè)試系統(tǒng)，可進(jìn)行低溫特性測(cè)試。 |
低溫探針測(cè)試系統(tǒng) 美國(guó)Lake Shore.，型號(hào)CRX-VF, 可進(jìn)行低溫特性測(cè)試。 |
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正在驗(yàn)收 |
2020年驗(yàn)收并投入使用 |
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ABM光刻機(jī) 美國(guó)ABM公司光刻機(jī)，可進(jìn)行光刻膠曝光。 |
MA/BA6光刻機(jī) 德國(guó)SUss公司，MA/BA6光刻機(jī)，可進(jìn)行光刻膠曝光。 |
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2011年驗(yàn)收并使用 |
2017年驗(yàn)收并使用 |
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鍵合機(jī) 德國(guó)SUss公司，SB6e鍵合機(jī)，可進(jìn)行鍵合工藝2017年驗(yàn)收并使用。 |
納米壓印機(jī) 青島天仁微納科技GL8 CLIV納米壓印機(jī)，可進(jìn)行納米壓印工藝。 |
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2017年驗(yàn)收并使用 |
2020年驗(yàn)收并使用 |
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光譜式橢偏儀 美國(guó)J.A.Woollam公司光譜式橢偏儀，型號(hào)M-2000DI，可進(jìn)行薄膜參數(shù)測(cè)試。 |
高溫四點(diǎn)探針臺(tái) 臺(tái)灣奕葉高溫四點(diǎn)探針臺(tái)，型號(hào)SR-4可進(jìn)行硅片參數(shù)測(cè)試。 |
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2013年驗(yàn)收并使用 |
2013年驗(yàn)收并使用 |
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薄膜應(yīng)力測(cè)試儀 日本toho公司薄膜應(yīng)力測(cè)試儀，型號(hào)FLX2320S，可進(jìn)行薄膜應(yīng)力測(cè)試。 |
原子力顯微鏡 美國(guó)Bruker公司原子力顯微鏡，型號(hào)Multimode 8，可進(jìn)行表面形貌測(cè)試。 |
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輪廓儀 德國(guó)布魯克公司輪廓儀，型號(hào)ontourGT-Κ，可進(jìn)行3D形貌測(cè)試。 |
紅外顯微鏡 日本奧林巴斯公司紅外顯微鏡，型號(hào)BX53M，可進(jìn)行芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)測(cè)試分析。 |
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2022年驗(yàn)收并使用 |
2022年驗(yàn)收并使用 |
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顯微振動(dòng)分析系統(tǒng) 瑞士Lyncee Tec公司顯微振動(dòng)分析系統(tǒng)，型號(hào)DHMR2204，可進(jìn)行振動(dòng)結(jié)構(gòu)3D測(cè)試。 |
激光測(cè)振儀 德國(guó)PolyTec公司激光測(cè)振儀，型號(hào)MSA-600，可進(jìn)行振動(dòng)結(jié)構(gòu)2D測(cè)試。 |
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2022年驗(yàn)收并使用 |
2021年驗(yàn)收并使用 |
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掃描電子顯微鏡（大） 日本日立公司掃描電子顯微鏡，型號(hào)S-4800，進(jìn)行參數(shù)及形貌測(cè)量。 |
掃描電子顯微鏡（小） 日本日立公司掃描電子顯微鏡，型號(hào)TM-3000，進(jìn)行參數(shù)及形貌測(cè)量。 |
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2011年驗(yàn)收并使用 |
2011年驗(yàn)收并使用 |
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全內(nèi)反射熒光顯微鏡 尼康公司全內(nèi)反射熒光顯微鏡，型號(hào)Ti E TIRF，可進(jìn)行熒光測(cè)量。。 |
臺(tái)階儀 美國(guó)臺(tái)階儀，型號(hào)ASIQ，可進(jìn)行結(jié)構(gòu)參數(shù)測(cè)試。 |
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2009年驗(yàn)收并使用 |
2010年驗(yàn)收并使用 |
平臺(tái)成員
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實(shí)驗(yàn)室成員：杜利東，副研究員，平臺(tái)總體運(yùn)行管理。 |
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實(shí)驗(yàn)室成員：熊菲，實(shí)驗(yàn)員，平臺(tái)刻蝕區(qū)設(shè)備操作及管理。 |
服務(wù)項(xiàng)目：
1、薄膜生長(zhǎng)及沉積工藝
2、深硅刻蝕、介質(zhì)薄膜刻蝕、金屬薄膜刻蝕工藝
3、薄膜材料及微納結(jié)構(gòu)表征測(cè)試
4、微傳感器裂片、封裝工藝
傳感器與微系統(tǒng)平臺(tái)擁有40余臺(tái)加工、測(cè)試以及封裝設(shè)備，用戶需要提前通過(guò)郵件進(jìn)行預(yù)約申請(qǐng)并注明詳細(xì)工藝參數(shù)，通過(guò)申請(qǐng)后的用戶可將樣品送至實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行加工測(cè)試。
收費(fèi)須知：
歡迎來(lái)訪
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